热分布测试对比图
(3)对芯片漏电点定位后,通过FIB对漏电点精确切片,接着进行SEM表征测试,分析漏电原因,测试结果如下:
对NG1漏电位置进行FIB-SEM截面分析,可观察到芯片外延出现断裂异常。芯片外延断裂会导致外延PN结错位,从而引起芯片出现漏电或者短路失效。
对NG2漏电位置进行FIB截面分析,可观察到芯片外延出现断裂异常。芯片外延断裂会导致外延PN结错位,从而引起芯片出现漏电或者短路失效。
综上所述,送测LED灯具红光失效的原因是芯片焊球位置外延开裂,造成芯片漏电或者短路失效。此案例也较好地论证了我们金鉴实验室的芯片漏电点定位及分析设备群的完备性及解决方案的可行性。