60a充电机1到10档调节原理

图5中四种功率器件中MOS管温升为最高。改变充电机的输入功率进行测试，可得相同结果，因此可确定该充电机中MOS管为温升最恶劣器件。另外，充电机采用最大温升为85 ℃的工业级芯片设计，故本文限定MOS管运行温度不超过85 ℃。

4.3 热路模型参数估计结果分析

表1给出了不同输入功率等级和环境温度下的MOS管运行温度实测结果。

以式(8)为目标函数，对表1中的结果进行参数估计，可得热参数C₁=1.104 9，C₂=0.018 1，C₃=7.738 7。进而得到功率器件热路模型表达式：

为了验证所建立热路模型的准确性，重新设计了六组未参与前文数据参数估计的充电机运行条件，对比验证模型的准确性。相关结果如表2所示。分析可知，模型计算温度的相对误差小于±2%，因此该热路模型能够准确反映器件运行温度。

4.4 智能功率调节方法有效性验证

为验证本文所提功率智能调节方法，现将充电机运行于1 000 W功率条件下。工作环境温度由室温31 ℃逐渐上升至55 ℃，如图6(a)所示。

图6(b)给出了此运行环境下的充电机MOS管温升实测曲线。由图可见，随着环境温度提升及自身的功耗作用，MOS管运行温度逐渐提高。但因未施加功率智能调节，MOS最终稳态温度可达88 ℃，已超过所限定的85 ℃安全运行温度。