场效应晶体管简称场效应管，缩写FET，是一种半导体的放大器件，也可以充当开关作用。
场效应管的符号如下图，分别为N沟道和P沟道的。
MOS管导通特性
导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。
在先说场效应管的工作原理之前先辨认场效应管的符号的三个脚的关键在哪，如下图
