两颗同步升降压开关管来自锐骏半导体,型号为RU3040M2,耐压30V,导阻5.8mΩ,采用PDFN3333封装,用于电池端半桥。
输出端采用一颗锐骏RU30D20M2,为双NMOS,耐压30V,导阻8.5mΩ,采用PDFN3333封装,双NMOS组成半桥,用于输出端半桥。
升降压磁环电感采用多线并绕,底部垫有青稞纸绝缘,侧面打胶固定。
电池端滤波固态电容规格为100μF 16V。
两颗同步升降压开关管来自锐骏半导体,型号为RU3040M2,耐压30V,导阻5.8mΩ,采用PDFN3333封装,用于电池端半桥。
输出端采用一颗锐骏RU30D20M2,为双NMOS,耐压30V,导阻8.5mΩ,采用PDFN3333封装,双NMOS组成半桥,用于输出端半桥。
升降压磁环电感采用多线并绕,底部垫有青稞纸绝缘,侧面打胶固定。
电池端滤波固态电容规格为100μF 16V。
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