晶圆键合
晶圆键合大致分为“直接键合”、“通过中间层键合”2类。
直接键合不使用粘合剂等，是利用热处理产生的分子间力使晶圆相互粘合的键合，用于制作SOI晶圆等。
通过中间层键合是借助粘合剂等使晶圆互相粘合的键合方法。
蚀刻
各向同性蚀刻与各向异性蚀刻
通过在低真空中放电使等离子体产生离子等粒子，利用该粒子进行蚀刻的技术称为反应离子蚀刻。
等离子体中混合存在着携带电荷的离子和中性的自由基，具有利用自由基的各向同性蚀刻、利用离子的各向异性蚀刻两种蚀刻作用。
硅深度蚀刻
集各向异性蚀刻和各向同性蚀刻的优点于一身的博世工艺技术已经成为了硅深度蚀刻的主流技术。
