转移特性与输出特性
与结型场效应管一样，三个工作区：可变电阻区 恒流区 夹断区
N沟道耗尽型MOS管结构示意图及符号：
由于在二氧化硅绝缘层中参杂了大量正离子，所以Ugs=0时，也存在反型层，漏源之间也存在导电沟道，只要有Uds>0，就会有id，Uds从正减小到0再到负值过程中，反型层不断变窄，id不断减小，直到为0，此时的Ugs称为夹断电压Ugs（off）
注意：与N沟道结型场效应管一样的是，夹断电压都为负值，但是结型场效应管只能在Ugs<0时工作，N沟道耗尽型MOS管的Ugs可在一定正负范围工作。
P沟道MOS管P沟道增强型：开启电压Ugs（th）<0，Ugs<Ugs（th）时管子开通，漏源之间加负电源；
P沟道耗尽型：夹断电压Ugs（off）>0，Ugs可在正负一定范围内控制id，漏源电压也为负电源。
VMOS管可以承受较大功率，结构设计上解决了散热问题的一种MOS管。
N沟道增强型VMOS管结构示意图
2N7000 N沟道增强型VMOS管
场效应管特性及符号总结
