3. STI工艺的三个步骤及剖面图
槽刻蚀
氧化物填充
氧化物平坦化
硅片测试
1. 各种薄膜厚度的典型测试技术
椭偏仪：非破坏、非接触的光学薄膜厚度测试技术，主要用于测透明的薄膜
X射线荧光技术：主要用于单层薄膜的测量
光声技术：可用于测量金属薄层
2. 掺杂浓度的典型测量方法
四探针法：最典型的应用是高掺杂浓度
热波系统：可用于监测离子注入剂量浓度
扩展电阻探针（SRP）：用于测量掺杂浓度
电容-电压特性测试：也能用于测量掺杂浓度
二次离子质谱仪（SIMS）：测量掺杂类型以及杂质浓度
3. IC产品的不同电学测试
4. 在线参数测试的目标
鉴别工艺问题:硅片制造过程中工艺问题的早期鉴定
通过/失效标准：决定硅片是否继续后面的制造程序
数据收集：为改变工艺，收集硅片数据以评估工艺倾向
特殊测试：在需要的时候评估特殊性能参数
硅片级可靠性：需要确定可靠性与工艺条件的联系时，进行随机的硅片级可靠性测试
5. 硅片拣选测试的目标
芯片功能:检验所有芯片功能的操作，确保只有好的芯片被送到装配和封装的下一个IC生产阶段
芯片分类：根据工作速度特性对好的芯片进行分类
生产成品率响应：提供重要的成品率信息，以评估和改善整体制造工艺的能力
测试覆盖率：用最小的成本得到较高的内部器件测试覆盖率
封装
1. 集成电路封装的4个重要功能
a) 保护芯片以免由环境和传递引起损坏
b) 为芯片的信号输入和输出提供互连
c) 芯片的物理支撑
d) 散热
2. 引线键合的概念和三种方法
引线键合：将芯片表面的铝压点和引线框架上或基座上的电极内端进行电连接最常用的方法
三种引线键合的方法：热压键合、超声键合、热超声球键合
3. 先进的集成电路封装设计有哪些？
倒装芯片、球栅阵列（BGA）、板上芯片（COB）、卷带式自动键合（TAB）、多芯片模块（MCM）、芯片尺寸封装（CSP）、圆片级封装
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