式中，IDSS称为uGS=0时的饱和漏电流，其值为
P沟道MOSFET的工作原理与N沟道MOSFET完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。
3 主要参数
(1) 直流参数
指耗尽型MOS夹断电压UGS=UGS(off) 、增强型MOS管开启电压UGS(th)、耗尽型场效应三极管的饱和漏极电流IDSS(UGS=0时所对应的漏极电流)、输入电阻RGS.
(2) 低频跨导gm
gm可以在转移特性曲线上求取，单位是mS(毫西门子)。
(3) 最大漏极电流IDM
