霍尔元件应用的基本原理是 霍尔效应。霍尔效应是一种磁敏效应，一般在 半导体薄片的长度X方向上施加磁感应强度为B的磁场，则在宽度Y方向上会产生 电动势UH，这种现象即称为霍尔效应。UH称为霍尔 电势，其大小可表示为：
UH=RH/d*IC*B （1）
式中，RH称为霍尔系数，它的单位是 米的三次方每库仑，由半导体材料的性质决定；d为半导体材料的厚度。
霍尔效应测磁场实验B，可以通过公式B=Uh/KIh得出。霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转所产生的。
当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直于电流和磁场的方向上产生正负电荷的积累，从而形成附加的横向电场。
若在方向通以电流，在方向（垂直纸面向外）加磁场，则在方向即试样、电极两侧就开始积累异号电荷而产生相应的附加电场。
电场的指向取决于试样的导电类型。显然，该电场是阻止载流子继续向侧面偏移的。
