选择这次我们innoswitch CE。这是询问PI销售得到的实际主流销售的芯片系列。就是销售能给我供货的系列
然后在你面前会出现一张表格。这个表格中，你需要关心的有如下几项
VACMIN
最小输入电压，这里输入85V
VACMAX
最大输入电压，这里输入265V
这就是一个标准的110VAC和220VAC兼容设计方案
如果你是仅仅在国内使用的话，那就修改最小输入电压为195V，如果你愿意单电压使用，整个开关电源的成本会显著下降，整个开关电源的体积也会显著下降。
最低电压上升意味着：
第一，高压开关管DMOS的最大电流要求下降了
第二，变压器磁芯可以不用为低压大电流输入而加粗导线直径了。变压器就可以选用更小一号的磁芯和骨架
第三，初级的高压整流滤波电容可以容量显著减小，这样体积和成本就都下来了。
这里有一个CIN值，就是PI软件官方给你计算出来的高压滤波电容推荐不小于的容量值。如果是195V最低电压输入。那就会显著减小这个电容的需求容量大小。
fL
工作频率
如果你在中国请输入50 也就是50Hz
VO
输出电压，这一项你选择你要的电压，我这里输入5V
IO
输出电流，这一项你选择你要的电流，这我输入2.2A
Power
输出功率，这一项是自动换算的你不用输入，但是它会受到线电压损失补偿而有所提升。说人话就是如果你选择的是带有线电压补偿的型号，随着电流输出的增加会增加输出电压，这样就会需要更大的输出功率。
Enclosure
外壳方案，这里有适配器型（Adapter）和开放型（Open Frame）两种。如果你对温度有要求的话，选择Adapter
InnoSwitch-CE
选择你需要的型号，这里选择INN21X5 其中x代表0或者2，如果是2就是有线电压补偿的型号，而INN21X5 最后的5 意味着这是整个InnSwitch-CE系列里面功率最大的型号，最后结尾的数字越大，功率越大。落实到具体区别就是内部集成的VMOS管的功率更大，Ids极限电流更大。
Cable drop compensation
线电压损失补偿 这里我用的是INN2105 所以是选择0%
Chose Configuration
这一项有三个选择，用来配置InnoSwitch芯片的工作电流模式，对于的就是InnoSwitch系列芯片的一个BPP启动配置电容。你可以在电路里面看到，对于InnoSwitch系列芯片而言，BPP引脚的电容不同，工作电流不同
在1uf的时候是激进模式，这一项选择INC
在0.1uf的时候是标准模式，这一项选择STD
在10uf的时候是小电流保护模式，这一项选择RED
我是默认选择STD
Reflected Output Voltage
次级反射电压，这个选项不要去修改，我一开始就是不懂去修改了，其实它会自动生成的，虽然你可以改，但是一般只会越改越差。
之后需要修改的是
Core Type
磁芯类型，这里我选择的是EE16 因为EE16的价格便宜，而我之前选择的是RM6。不同磁芯决定了价格成本，性能，体积。是变压器的核心设计。之后我会专门为大家讲解磁芯的选择的。如果整个设计没有任何警告的话，这套设计就算ok了，这个时候你又可以翻过去修改输入电流，IO，比如我之前的最大输出电流是2.2A，这时候慢慢的以0.1A的幅度增加，一直加到EE16磁芯无法满足输出，整个设计文档出现警告之前的一个方案就算ok了
磁粉材料选择，高性价比的PC40就ok了
最终的修正结果是IO输出电流最大2.4A 5V 2.4A 12W 这就是EE16的极限了。Rm6的极限会比EE功率大一点，我做到过5V4A输出。
变压器的参数基本设计完毕，之后我们需要对照骨架，设置变压器的输出对应引线。
点选变压器构造标签页。
