不是,场效应管是MOSFET,而IGBT是MOSFET和GTR(大功率晶体管)复合而成的器件.栅极是MOSFET,而C,E极是GTR.IGBT兼具二者的优点:驱动象MOSFET一样容易,开关速度可达几十KHz;电流象GTR一样大,可达上千安培.现在IGBT的使用面很广.MOSFET电流做不大的,但开关速度很高,现主要用在中小功率的开关电源上.
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