为R = L / (μnCoxW / 2(Vgs - Vth)Vds),其中R为电阻，L为通道长度，μ为迁移率，n为载流子浓度，Cox为氧化层电容，W为通道宽度，Vgs为栅极源极电压，Vth为阈值电压，Vds为漏极源极电压。这个公式是通过对mos管的物理特性进行分析和实验得出的，可以用来计算mos管的电阻大小。
MOSFET选用原则 一、反应时间T(nS)： t n 分为： T(nS) 146 Td(n)(nS) 18 开启时间Tn 导通延迟时间Td(n)+上升时间Tr Tr(nS) 59 二、驱动功率P(mW)： 2 2 P= WF=0.5CU F=0.5*U *F*Q/U=0.5*F*QU 驱动功率P（mW） 14.5 栅源电荷Q（nC） 29 三、热效应E(J)： 相关： 通态电阻RDS（ON）
通态漏极电流ID（ON） 原则 关断时间Tff 判断延迟时间Td(ff)+下降时间Tf Td(ff)(nS) 11 Tf(nS) 58 栅源电压U（V） 10 驱动信号频率F（KHz） 100
