在众所周知的事实中，中国大陆拥有一家备受瞩目的芯片代工厂，即中芯国际，目前在全球晶圆代工厂中位列第五，略逊于台积电、三星、格芯和联电，市场份额为5.6%。然而，令人震惊的是，尽管中芯国际在2019年已实现14纳米工艺，但此后的四年间一直没有公开过该工艺的进展。相反，外界只是传闻不断，涉及到N 1、N 2等一系列的工艺改进，而这些N 1、N 2究竟是何方神圣，只有中芯国际自己心知肚明。
让我们首先来了解一下14纳米工艺。这一工艺采用了FinFET晶体管技术，与三星的工艺相当，而该技术最初是由曾主导三星14纳米FinFET技术的梁孟松加盟中芯后引入的。据先前公开的参数，14纳米工艺的晶体管密度为每平方毫米30百万个，相当于每平方毫米3000万个。相较之下，台积电的16纳米FinFET工艺的晶体管密度为每平方毫米2888万个，而三星的14纳米FinFET工艺的晶体管密度为每平方毫米3250万个。可见，中芯国际的14纳米工艺与台积电的16纳米、三星的14纳米工艺处于同一水平。
接下来，让我们探讨一下N 1。虽然之前有一些关于N 1的说法，但随后就鲜有人提及。N 1是在14纳米FinFET基础上进行改进的，因为从14纳米开始，芯片工艺本身就变成了等效法。等效法是指工艺不一定非得有所进步，如果通过其他方法，例如提高性能、降低功耗、提升晶体管密度等，能够达到下一代技术的水平，那就可以被认为是下一代技术。以N 1为例，与14纳米工艺相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，逻辑部分的面积减小了63%。基于14纳米时的晶体管密度为30百万每平方毫米，可以得出N 1的晶体管密度为81百万每平方毫米。与此同时，台积电的N7工艺的晶体管密度为91.2百万每平方毫米，因此我们可以认为N 1基本相当于台积电的第一代7纳米工艺。
再来看N 2，与14纳米工艺相比，性能提升了35%，功耗降低了50%，逻辑面积减小了70%。直接计算的话，密度正好达到了100百万每平方毫米。而台积电的第二代7纳米工艺，即N7 LPP，其晶体管密度为96.5百万每平方毫米。此外，台积电的N6工艺的晶体管密度为107.6百万每平方毫米。由此可见，N 2相当于N7 LPP，也就是台积电的第二代7纳米工艺。
然而，需要注意的是，中芯国际仅公开了14纳米工艺的信息，而N 1、N 2的工艺却没有公之于众。它们究竟是何种工艺，目前只有中芯国际自己清楚，我们只能通过晶体管密度来猜测它们等效于何种工艺。对于这一点，我们的看法和判断可能因人而异。然而，有一点可以肯定的是，低调发展、沉稳前行，才是当前我们应采取的策略。高调宣传只会适得其反，因此谨言慎行，方为上策。
