同样是一块硅基片，如果我们在一端掺入少量的杂质硼元素，中间掺入少量的杂质磷元素，再在另一端掺入少量的杂质硼元素，这时候就形成了两个离得很近的背靠背排列的P-N结，双极结型三极管（BJT）由此诞生。
如果制作掺杂的时候两端形成的是N型半导体，中间形成的是P型半导体，那么这个双极结型三极管就是NPN型的。
我们在掺杂的过程中，有意识地让中间的区域做得很薄，这个区域就叫做基区，两端的区域掺杂的浓度不一样，并且面积也不一样，掺杂浓度高，面积相对较小的叫做发射区，掺杂浓度低，面积较大的叫做集电区。
从这三个区域引出电极，于是就有了基极b，发射极e，集电极c，抽象成图形表示如图所示。
