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首页 > 经验 > 作者:YD1662022-10-30 22:45:59

三、全球 IGBT 模块市占率稳步提升,代工厂及自建产线保障产能完善布局

1、持续开展研发打造技术护城河,国产替代进程顺利全球市场份额稳步提升

公司研发费用持续攀升,保障了公司对于核心技术的研发投入,依据技术优势不断加深护城河。公司 2017~2020 年 研发费用分别为 0.38/0.49/0.54 亿元,逐年上升,研发费用率基本稳定在 7%左右,2021 年研发费用达 1.1 亿元,研 发费用率下降至 6.44%,主要系公司营收大幅增长产生的规模效应。截至 2022 年底,公司员工数合计 1031 人,其 中研发人员 245 人,占比 23.8%。此外,公司在 2021 年推出了对标英飞凌第七代 IGBT 的微沟槽 Trench Field Stop 芯片,依据技术优势不断加深护城河。

公司 IGBT 模块全球市场份额逐年提升,全球排名从 2017 年的第十跃升至 2020 年的第六,是国内唯一一家进入全 球前十的 IGBT 模块厂商。根据 Omdia 数据,公司 2017 年 IGBT 模块市占率达 1.9%,排名全球第十,随着公司产 品在工控领域的顺利推广,市场份额不断提升,2018、2019 年超越博世、东芝排名全球第八,市占率分别达 2.2% 和 2.5%,2020 年超越 Hitachi、丹佛斯两家厂商,以 2.8%的市占率排名全球第六。此外,根据 Yole 数据,斯达半导 2018~2020 年 IGBT 系列产品销售数量占国内市场需求总数量比例分别为 4.79%、4.40%和 4.75%,标志着公司 IGBT 模块国产替代化进展顺利,受益于下游新能源领域的旺盛需求,公司未来市场份额将进一步提升。(报告来源:未来智库)

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2、与华虹稳定合作保障中低压芯片供应,自建 6 寸线向高压芯片拓展完善产品布局

公司芯片由华虹和上海先进两家代工厂生产,合作关系稳定,随着代工厂功率产能的扩张,预计公司产能供应也将获 同比例提升。 1)华虹:公司与华虹有多年稳定合作,是华虹 12 英寸线功率芯片的主要客户之一,预计今年公司产能供应将随着12 寸线功率产能的扩张而提升。根据公告,华虹半导体预计 2021 年资本支出将达 13 亿美元,以加快 12 英寸晶圆 厂的建设,华虹七厂(无锡)产线预计 2021 年年底月产能可达 6.5 万片,有望在 2022 年年底达到 9.5 万片,其中功 率器件的产能也将有一定比例的提升,随着华虹半导体产能释放,预计未来将有能力为公司提供较强的产能支持。同 时,斯达半导和华虹在 2021 年中共同宣布,在 12 英寸线上生产的高功率车规级 IGBT 芯片,已通过终端车企产品验 证,广泛进入了动力单元等汽车应用市场;

2)上海先进:公司与上海先进合作多年,上海先进主要为公司提供快恢复二级管芯片代工服务。上海先进于 2018 年被积塔半导体收购,目前 Fab1、2 可生产 IGBT 芯片,Fab1、2、3 厂可生产二极管芯片,临港工厂主要生产功率 芯片,具体产品结构尚未披露,目前 8 英寸线月产能 1 万片,预计 2022 年产能可扩张至 1.5~2 万片/月,2023 年扩 张至 3~4 万片/月,此外,12 英寸线达产可增加月产能 5 万片。

公司 2021 年定增建设 6 英寸高压特色工艺功率芯片产线,与原有产品系列形成互补,年产能预计达 30 万片。目前 公司在 650V、750V、1200V、1700V 等中低压 IGBT 芯片已经实现国产化,但是在 3300V、4500V 等高压功率芯片 仍依赖进口,急需国产化以提高公司的竞争力。本次定增的高压特色工艺功率芯片项目把握智能电网、轨道交通、风 力发电等基础设施核心模块安全可控的政策引领,向高压特色工艺功率芯片领域拓展,与原有产品系列形成互补,从 而达到优化产品结构,完善产品布局的目的。该项目计划投资 15 亿元,建设周期为 3 年,预计将形成年产 30 万片 6 英寸高压特色工艺功率芯片生产能力。

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公司实施功率半导体模块生产线自动化改造项目,新增年产 400 万颗功率半导体模块,提升企业对下游市场的供货 保障能力。本项目拟采用先进技术和设备,配置全自动、在线式生产线及信息化系统,实施以 IGBT 模块、SiC 模块 为主的功率半导体模块生产线自动化改造项目,总投资金额为 7 亿元,建设周期为 3 年,预计将形成新增年产 400 万片功率半导体模块的生产能力,有助于提升企业质量管控能力,进一步提高公司产品质量稳定性,提升企业对下游 市场的供货保障能力及企业竞争力。

3、大力建设 SiC 芯片和模块产线,宇通等多家车企和 Tier1 客户定点使用 SiC 模块

预计 2021 年全球和中国新能源汽车 SiC 市场规模将达到 14 亿元和 27 亿元,2021-2025 年全球和中国新能源汽车 SiC 市场规模 CAGR 保持 35%以上。根据英飞凌及中国汽车工业协会披露的数据及相关政策,预计 2021 年全球和 中国新能源汽车年产量将分别达到 650 万辆和 300 万辆,分别对应 14 亿元和 27 亿元的 SiC 市场规模。2021 年,中 国国内新能源汽车生产再创历史新高,全球新能源汽车生产一定程度上受到了缺芯以及疫情反复的影响。预计 2021-2025 年全球和中国的新能源汽车 SiC 规模 CAGR 将高达 36.41%和 43.74%。

光伏和储能系统是 SiC 器件的重要应用领域之一,采用 SiC 功率器件的光伏逆变器可以提高转换效率降低损耗。在 光伏发电应用中,基于硅基器件的传统逆变器成本约占系统 10%左右,但却是系统能量损耗的主要来源之一。使用 SiC MOSFET 或者 SiC MOSFET 和 SiC SBD 结合的功率模块的光伏逆变器,转换效率可以从 96%提升至 99%以上, 能量损耗降低 50%以上,设备循环寿命提升 50 倍,从而能缩小系统体积、增加功率密度、延长器件使用寿命、降低 生产成本。高效、高功率密度、高可靠和低成本是光伏逆变器的未来发展趋势。在组串式和集中式光伏逆变器中,SiC 产品预计会逐步替代硅基器件。据 CASA 数据,预计 2025 年光伏逆变器中的 SiC 功率器件占比有望达到 50%。

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公司车规级 SiC 模块已获得宇通等国内外多家著名车企和 Tier1 客户的项目定点和采用,同时在光伏行业得到进一步 推广应用。公司在 SiC 模块领域布局多年,2019 年,在机车牵引辅助供电系统、新能源汽车和光伏行业,分别推出 不同的模块产品。2020 年,公司应用于新能源汽车的车规级 SiC 模块获得国内外多家著名车企和 Tier1 客户的项目 定点,宇通客车新能源技术团队采用斯达半导和 Wolfspeed 合作开发的 1200V SiC 功率模块,开发业界领先的高效 率电机控制系统。2021 年上半年,公司在机车牵引辅助供电系统、新能源汽车行业控制器、光伏行业推出的各类 SiC 模块得到进一步推广应用,在新能源汽车领域,新增多个使用全 SiC MOSFET 模块的 800V 系统主电机控制器项目 定点。

截至 2021 年 9 月 8 日,公司已获得 3.4 亿元的车规级 SiC MOSFET 模块订单,订单约定交货期间为 2022-2023 年。 目前公司定点的车规级 SiC 模块项目及未交订单全部使用进口芯片,在 SiC 募投项目量产后,公司将拥有自主的车 规级 SiC MOSFET 芯片,进一步提高公司车规级 SiC 模块的供货保障能力以及产品竞争力。

公司实施 SiC 芯片研发及产业化项目,将形成年产 6 万片 6 英寸 SiC 芯片生产能力,对进口 SiC 芯片形成替代。该 项目总投资 5 亿元,建设周期为 3 年,拟通过新建厂房及仓库等配套设施,购置光刻机、涂胶显影机、铝刻蚀机、高 温注入机等设备,开展 SiC 芯片的研发和产业化,预计将形成年产 6 万片 6 英寸 SiC 芯片生产能力。公司将通过该 项目,在现有技术积累上,把握政策机遇和功率半导体器件向第三代材料迭代升级发展趋势,研发出符合车规级技术 要求的 SiC 芯片。

公司投资建设全 SiC 功率模块产线,为进一步开拓新能源汽车市场奠定基础。公司在 2020 年 12 月宣布,将在嘉兴 斯达半导现有厂区内,投资建设全碳化硅功率模块产业化项目,总投资 2.3 亿元,建设年产 8 万颗车规级全碳化硅功 率模组生产线和研发测试中心,项目将按照市场需求逐步投入,建设期为 24 个月。公司在保持国内 IGBT 模块龙头 的同时,发展建设 SiC 模块产线,进一步提高了公司在车规级模块的技术水平和供货能力,有助于公司提升在新能源 汽车市场的占有率。(报告来源:未来智库)

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