底部Type-C接口与SIM卡插槽，手机采用立体声双扬声器
210W神仙秒充 业界目前最为先进水平
Redmi Note 12探索版内置4300mAh锂电池，而其一大亮点就是具备史上最为先进210W神仙秒充。能实现目前业界首位的闪充速度，主要是因为Redmi Note 12探索版手机采用双电芯结构，并由3颗高效率充电芯片组成的超百瓦快充架构，实现三路分流。同时，充电器的输入电流（20V 10.5A）会分为3路，单路电压电流分别为20V 3.5A，之后分别经过3颗充电芯片降压升流至10V 7A，再3路合流为10V 21A，最后经双电芯分压，最终到达每块电芯 的电压电流为5V 21A。规格上，每颗充电芯片峰值功率达100W，总功率上限达300W，留出充分性能冗余，避免满载，利于散热。同时，三 颗充电芯片采用双翼布局，两颗充电芯片位于主板端，一颗充电芯片位于副板端，分散热源，降低发热，最大程度延长高功率充电时长。
双GaN 210W充电器
之所以能实现210W秒充，除了更为先进的电池设计外，还有一个重要原因就是Redmi Note 12探索版还有双GaN 210W充电器 定制10.5A高规快充线的加持。首先，GaN材料具有性能稳定，工作频率高的特性，可有效减小充电器体积，提高充电效率。手机充电器采用双GaN设计，工作频率高达 190KHz，功率密度达到1.62W/cm³。并且，充电器装配过程中，还采用灌胶均热技术，使充电器能承受更长时间的高功率工作，更稳定。
快充线为双头Type-C接口，两头都可随意连接手机或充电器，随意正反插
其次，Redmi Note 12探索版的充电线采用定制10.5A规格，从接口到芯线均大幅升级，通流能力相比120W的6A规格线材提升75%。想要充电线通过更大的电流，那就需要尽可能的在保证安全情况下降低阻抗，所以Redmi Note 12探索版充电线的Type C接口采用新材料和增强型铂金电镀工艺，不仅更抗大电流电解腐蚀，也能让导电率更高，阻抗更低；并且芯线由6A规格的306根芯线升级为844根，双层缠绕屏蔽层降低芯线之间干扰，进一步降低阻抗。
需在设置中开启快速充电功能才能享受210W神仙秒充
