图8：本证半导体中的两种电流
六、半导体掺杂提高半导体导电能能力的办法就是掺杂，提高电子或者空穴的浓度。
1、增加电子（N型半导体）
将硅融化，破坏掉共价键，然后加入5价电子，如砷、锑、磷等，形成更多的电子，见图9。
图9：N型半导体
2、增加空穴（P型半导体）
将硅融化，破坏掉共价键，然后加入3价电子，如铝、硼、钾等，形成更多的空穴，见图10。
图10：P型半导体
七、无偏置二极管1、无偏置PN结
P型半导体和N性半导体结合构成PN结。见图11。
图11：无偏置PN结
2、耗尽层
N区电子在本区域电子的排斥下，在P区空穴的吸引下，越过PN结与P区空穴结合形成偶极子，随着复合的不断进行，PN结附近载流子将进入衰竭状态形成耗尽层，见图12。
