图12：PN结耗尽层
3、势垒电压
随着扩散的进行，偶极子增多，每个偶极子都有一个电压，这个电压将阻止电子的进一步扩散，并形成一个电压，这个电压叫做势垒电压。锗二极管约为0.3V，硅二极管约为0.7V。
八、PN结正向偏置1、PN结正向偏置
如图13中给PN结加上电压，称作正向偏置。
图13：PN结正向偏置
2、PN 电流
正向偏置电路中，电子受到右侧的排斥和左侧的吸引作用，当外加电压小于势垒电压时，电子无法通过耗尽层，不能形成电流。当外加电压超过势垒电压后，N区电子通过耗尽层与P区的空穴结合形成电流，同时空穴从左向右移动形成空穴电流。
九、PN结反向偏置1、反向偏置
给PN结加上如图14的电压后称为PN结反向偏置。
图14：PN反向偏置
2、耗尽层变宽
反向偏置后，N区电子被电池正极吸引，P区电子被排斥进入N区，然后在电场的作用下再次达到一个新的平衡，耗尽层变宽了，见图15。
图15：PN结在反向电压下耗尽层变宽
3、少子电流
在耗尽层稳定后，还会有电流存在吗？答案是有的，因为分子热运动的原因，PN结附近还会激发出少量的电子和空穴，耗尽层中的少子会部分的穿过PN结，这时就会形成一个 微小的电流，也就是PN反向偏置时会有一个反向的持续的小电流。
4、表面漏电流
除了少子形成的反向电流外，二极管表面存在着一个小电流，这时由于结构缺陷和杂质引起的。
二极管的反向电流加上表面漏电流统称为二极管反向电流。
十一、击穿因为少子的存在，当电压加大时，少子的动能加大，在运动过程中会与原子发生碰撞，当电子的动能足够大时，会碰撞出更多的电子，这些电子动能继续增大，碰撞出更多的电子，形成雪崩。
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