在2019年底，我发表过一篇对于2020年手机行业变化的文章，文中大胆推测2020年的旗舰机将会配备双模5G、骁龙865移动平台、6400万像素等等。就目前发布的新机型来看，vivo NEX 3S是为数不多符合“旗舰水准”指标的一款，并且在多个维度引领着手机行业的变革。有的伙伴疑问，vivo NEX 3S会不会只是换了个处理器，答案非然。对这款手机感兴趣的小伙伴，不妨看看这10个关于这款手机无为人知的细节。
01 相同的骁龙865 不同的5G体验
vivo NEX 3S搭载了骁龙865 X55移动平台，这款号称是2020年旗舰标配的SoC，采用基于ARM最新的强大Cortex-A77部件和7nm工艺制程，CPU性能相较于前代骁龙855提升了25%，全新GPU Adreno650拥有同期最强图形性能，相较前代骁龙855提升了25%。
vivo NEX 3S异于其他骁龙865机型的地方在于5G信号搜索方面，配备了全新研发的天线技术，向天线解耦合技术、双侧边分布式天线技术以及天线长期稳定性优化。
当下的5G手机为了增强5G信号，通常会采用增多天线的方式，但是由此也会带来不好的因素，天线增多也会带来互相干扰的问题。而天线解耦合技术能够进一步提高天线的频率，相对传统的宽频天线，可提升天线性能20%，信号覆盖更好。
侧边分布式天线系统也是增强5G信号搜索的一套完整方案，NEX 3S将大部分5G天线布局于手机的侧边上端，从空间上避让了人手的影响，降低由握持姿势对信号造成的衰减影响。
Speedtest实测 5G的下载速率为634Mbps，上传速率达到了75.2 Mbps
得益于完整的天线优化方案，在比较理想的5G网络环境下，NEX 3S实际测试出的下载速度可达到2700 Mbps，上传速度可达170 Mbps。
02 相同的UFS 3.1 不同的读取体验
目前UFS 3.1已经成为了5G旗舰的标准，通俗点讲，UFS 3.1标准在传输速度上相比前代更快，功耗更低，软件响应更快，程序运行更流畅，而省电效果更佳，这对喜欢玩手游的用户来说会是一个福音。
而vivo NEX 3S虽然也搭载了UFS 3.1，但是得益于智能TurboWrite和HPB技术的加持，体验要更快。
vivo NEX 3S搭载UFS 3.1（左）和 某机型UFS 2.1（右）对比
TurboWrite技术起源于三星，讲的通俗一些就是高性能缓冲技术，可以在固态硬盘比较空闲的时候将其中的数据传给硬盘。从理论上分析，就是用MLC来模拟SLC的工作方式，以3bit MLC举例来说，由于有8个状态，而SLC只有两个，那么如果将3bit MLC也标记为两个状态，即000~011均认为是0，而100~111均认为是1，也就是说只判断最高位的状态，那么控制起来就更加简单了，同时速度也会大幅度提高，耐久度也有保证。
那么HPB又是个什么技术呢？HPB全称Host Performance Booster,手机在使用过程中会越用越卡，其中原因之一是越读越慢，这是由文件系统碎片化和器件随机读性能下降导致的。器件的cache缓存能力有限，频繁重载L2P Map表造成性能开销过大。
这项技术最早同样由三星开发，已经有几年的历史了。三星本意是借助该技术用内存取代SSD的缓存，这样可以降低SSD成本，如今被用来给手机提速。
03 44W超快闪充 不一样的温控体验
vivo NEX 3S标配了强悍的4500mAh大容量电池，充电功率也是配备广受好评的vivo Super FlashCharge 44W超快闪充技术。不同之处在于，vivo Super FlashCharge采用转化效率高达97%的电荷泵IC，从而实现了速度更快、温控更优、兼容性更好的充电体验。
解释一下什么是电荷泵IC。
从用途来说，电荷泵是一种变压器件，属于变压器的一种，但和以电磁感应为基本原理的普通变压器不同，电荷泵是利用开关和电容器件巧妙组合来实现的。因为不需要两次磁电转换，电荷泵的能量效率非常高，目前手机行业所用的产品普遍都标称 97%，相比之下其他的直流变压器件能有 95%就烧高香了。
手机行业以往的快充方案有高电压和高电流两种，其中高电压简单易行，对配件要求低，但因为需要降压，效率偏低，功率难以提升；高电流方案转化率高，但对配件要求高，尤其是线材，电流太大的话线材要么成本直线上升，要么无法承受，导致出现瓶颈。
