pfc控制模式对比,pfc 控制器

首页 > 经验 > 作者:YD1662022-11-18 03:32:06

珠海镓未来科技采用GaN器件无桥图腾柱PFC方案,设计上去除了输入整流桥固有的Vf损耗,解决了传统FPC线路效率无法提升的问题。同时通过Cascode GaN的应用,解决图腾柱PFC MOSFET反向恢复电荷Qrr过高的只能采用CRM工作模式的问题。用具有极低等效Qrr的Cascode GaN器件,使得PFC可以工作在连续电流模式提高效率的同时也不牺牲功率密度,实现高达99.1%的转换效率。

镓未来700W GaN电源关键参数

镓未来这套700W GaN电源方案功率密度可达14.7W/in³,适合工作在0-40℃温度环境下,支持90-264V~50/60Hz全球宽范围电压输入,可在40V-56V调压输出,最大恒流13A,最大输出功率700W。满载效率≥96.72%,输出电压纹波<300mV。

镓未来700W GaN电源整机能效对比市面上普通在售Si MOS产品,半载测试下提高了接近2%的转换效率,在满载情况下提高了接近1.3%的转换效率。节能提升了38.72%,预计可以为每台单电源设备年节省80-120度电。

pfc控制模式对比,pfc 控制器(13)

温升测试:

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上图为镓未来700W GaN电源方案在无散热片情况下,25℃环境温度下 110V/60Hz裸机连续运行1 小时的热成像图。可以看出,得益于GaNext优异的GaN器件性能以及成熟的可靠性设计方案。700W GaN LED驱动电源裸板正面的最大实测温度仅为88.8℃。

其它详细测试数据欢迎联系镓未来科技进一步咨询。

总结

瞻芯电子是中国领先的碳化硅(SiC)功率半导体和芯片解决方案提供商,2017年成立于上海临港,致力于开发碳化硅功率器件、驱动和控制芯片、碳化硅功率模块产品。瞻芯电子是中国第一家自主开发并掌握6英寸SiC MOSFET产品以及工艺平台的公司,致力于围绕碳化硅功率半导体应用,为中国新能源产业提供一站式(Turn-key)芯片解决方案。

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