NMOS英文全称为N-Metal-Oxide-Semiconductor,拥有这种结构的晶体管我们称之为NMOS晶体管,由NMOS组成的电路就是NMOS集成电路，由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路，即CMOS电路。在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底（提供大量可以动空穴）上，制作两个高掺杂浓度的N 区(N 区域中有大量为电流流动提供自由电子的电子源)，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极D和源极S。然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层，在漏——源极间的绝缘层上再装上一个铝电极（通常是多晶硅），作为栅极G。在衬底上也引出一个电极B，这就构成了一个N沟道增强型MOS管。MOS管的源极和衬底通常是接在一起的(大多数管子在出厂前已连接好)。
近期，合科泰推出了一款采用SOT-23-6封装的双N沟道增强型场效应晶体管S8205A，具有低导通电阻和低栅极电荷等特点，适用于同步整流器应用。在TA=25℃的条件下，其漏源电压为20V，栅源电压为±12V，连续漏极电流为5A。
产品特点：
●低导通电阻：VDS=20V，ID=5A，RDS(ON)≤25mΩ（VGS=4.5V）
●低栅极电荷
●用于同步整流器应用
●表面贴装器件
机械数据：
●封装形式：SOT-23-6
●外壳材料：模压塑料 UL可燃性
●分类等级：94V-0
●重量：0.3克（近似值）
最大额定参数（TA=25℃，除非另有说明）：
电气特性（TA=25℃，除非另有说明)：
*脉冲测试：脉冲宽度<300µs，占空比≤2%
NMOS管一般作为低端驱动器件，源级S接地。NMOS管使用时，通常和寄生二极管、电阻、寄生电容等结合使用，作为充放电、保护和驱动作用。NMOS管是驱动电路常用的器件，使用时按需求合理选择型号，应用时注意内部寄生参数，极限参数，提高产品的可靠性。NMOS管作为常规的器件，在很多电路中广泛运营，工程师根据产品需求选择最合适的，这样才最能发挥产品特性。
