1、起限电平，指限幅器开始发挥限幅作用时的输入功率。
2、功率容量，指限幅器能承受输入功率的最大值。这个值和三个因素有关，即电路的限幅形式、限幅管的功率容量和信号类型。
3、限幅电平，指限幅器允许输出信号功率的最大值。
4、插入损耗，器件、电路和传输线引入时带来的能量损耗。限幅电路的插入损耗用小信号，即电路还没有开始限幅工作时，RF输入信号的衰减来表示。
5、隔离度(ISO)，入射信号功率大于起限电平，即电路开始限幅工作时，输出功率被限制在某一值，把此时输入功率和输出功率(限幅电平)比值的分贝数称为隔离度。
6、响应速度，从大于起限电平的输入信号功率出现，到限幅器开始发挥作用的这段时间。限幅器响应速度越快，尖峰泄漏能量越小，限幅效果越好，对敏感器件保护能力越强。
7、恢复时间，从大于起限电平的输入信号功率消失，到限幅器插入损耗减小至输入小功率信号时插损在3dB以内的时间，恢复时间越短，表示限幅器恢复能力越强。
模拟预失真：
预失真技术的原理是在功率放大器的前端设置预失真单元，该单元在射频信号输入时产生一个非线性的预失真信号，由于预失真单元与功率放大器的非线性特性相反，该信号能够与功率放大器自身产生的非线性信号互补，减小功率放大器射频输出信号中的非线性分量。模拟预失真技术即通过模拟电路来实现非线性的预失真信号。（数字预失真DPD，即通过数字电路来实现非线性的预失真信号）
从上图可以看出，前面的限幅电路实现的增益压缩特性与PA的增益压缩特性是类似的，同样的我们可以改变二极管的接入形式，实现小信号限幅，大信号导通，因此与功放自身的非线性信号实现互补，提高输出信号的线性度。
以电桥APD电路为例，二极管可以并联在平衡段，当小信号时二极管未开启，此时平衡端口接匹配负载，输入信号由负载吸收，大信号时二极管打开，此时平衡端口相当于短路接地，输入信号经平衡端口全反射后经隔离端口输出，这样便形成了非线性的预失真信号。同时调节平衡端口的接入相位线长度，可实现相位的压缩和扩张。
可重构匹配电路：
可重构匹配电路主要是用在射频功率放大器输出匹配设计上，通过匹配可重构实现不同的工作状态（如频带、功率等）。大部分都是基于开关的关断开启实现输出匹配结构的变换，而二极管本身可用作开关使用，特别是PIN二极管，响应速度快，寄生小更，结构也简单，成本低更适合研究可重构功率放大器的研究设计。
离散型可重构器件主要为MOS开关、MEMS开关和PIN开关三类。MOS开关的本质是通过MOS管来实现“开关”特性，其主要通过改变MOS管的栅极控制电压来实现“开”和“断”状态，导通状态下可以等效为一个RC网络。常用于设计驱动电路和电源设计。
现如今，射频芯片中CMOS开关的应用也越来越多，可以通过同时串联多个场效应管元件，在高压下可以跟GaAs开关一样的性能。现在还有一种基于SOI工艺的Ultra CMOS，这种技术可以实现很高的集成度，可以实现更大规模的FET制作，采用该技术的MOS开关，可以有效降低功率损耗。
MEMS开关主要通过力学运动来实现开关功能，具有高Q值、高可靠性、高隔离度等优异特性。其中，MEMS开关消除了半导体PN结中的非线性效应，较多应用于微波电路。但MEMS开关处理时间是微秒级，封装难度大，价格昂贵等，这些因素在一定程度上限制了MEMS开关的发展。
PIN二极管外部控制电压为正电压时，二极管导通，反之，二极管截止。所以只需要通过控制外部偏压，即可实现其开关功能。在GHz频率下PIN二极管中的本征层I层的电流主要通过外部偏置电压产生，非线性效应影响很小，基本表现为线性阻抗。PIN开关和MEMS开关相比，具有结构简单，只有正负两个引脚，在电路板上调试起来较为简单，并且价格也相对便宜等优点，很适合用于研究可重构功率放大器的设计。
几种基于PIN管实现的可重构电路如下：
