无偏置整流二极管
正偏整流二极管正向偏置：在PN结二极管中，电压源的正端连接到p型侧，负端连接到N型侧，二极管处于正向偏置状态。
电子被直流电压源的负极端排斥并向正极端漂移，因此，在施加电压的影响下，这种电子漂移会导致电流在半导体中流动。该电流称为“漂移电流”。由于多数载流子是电子，所以 N型电流是电子电流。
由于空穴是P型的多数载流子，它们会被直流电源的正极端子排斥并穿过结向负极端子移动。所以，P型的电流就是空穴电流。因此，由于多数载流子产生的总电流会产生正向电流。常规电流方向从电池正极流向负极，常规电流方向与电子流向相反。
正向偏置整流二极管
反向偏置二极管反向偏置条件：如果二极管为源极电压的正端接n型端，源极负端接二极管的p型端，则不会有电流通过二极管除了反向饱和电流。这是因为在反向偏置条件下，结的耗尽层随着反向偏置电压的增加而变宽。
尽管由于少数载流子，二极管中的N型端流向P型端的电流很小。该电流称为反向饱和电流。少数载流子主要是分别在P型半导体和N型半导体中热产生的电子/空穴。
现在如果二极管两端的反向施加电压不断增加，那么在一定电压后耗尽层将被破坏，这将导致巨大的反向电流流过二极管。如果该电流没有受到外部限制并且超出安全值，则二极管可能会永久损坏。
这些快速移动的电子与设备中的其他原子发生碰撞，从而从它们中分离出更多的电子。如此释放的电子通过破坏共价键进一步从原子中释放出更多的电子。这个过程称为载流子倍增，并导致通过PN结的电流显着增加。相关的现象称为雪崩击穿。
反向偏置整流二极管
整流二极管技术参数
- 允许的极限参数
- 特征参数
VF：由 IF 正向电流确定的正向电压
IR：VRWM峰值：反向电压运行时的反向电流。
IFN：正向偏置二极管的最大平均电流或额定电流。
IFRM：峰值、可重复电流二极管导通
IFSM：峰值、不可重复电流传导
VRWM：代表峰值反向电压操作
VRRM：代表峰值重复反向电压
VRSM：代表峰值、非重复反向电压
PTOT：电子元件上耗散的功率总值。
Tj：二极管的最高结温 Rth – 低于工作条件的热阻
Rth：工作条件下的热阻
二极管的最大瞬时电流（它决定了过载电阻）
整流二极管的作用
整流二极管最大的作用就是常用在整流电路中。主要是以下几种整流电路。
桥式整流电路由于以下原因，桥式整流器分为不同的类型：
- 供电电压结构及相数：单相桥式整流电路、多相桥式整流电路（三相桥式整流电路、两相桥式整流电路）。
- 多种半波整流电压：单桥（半波整流）、双桥（全波二极管整流）。也可以创建像单相全波桥式整流电路或三相全波整流器这样的组合电路，也可以将相数与全波或半波整流电路相结合。
- 负载类型：电阻、电容、电感。
桥式整流电路的特性：
- V——电源电压
- VOS , I OS – 组件恒定输出电压
- I OSmax – 最大输出电流
- N ip – 能源效率
- 电路纹波系数
- V Rmax – 最大反向电压
半波桥式整流电路是最简单的电路，可以将交流电（两个符号， 和 -）转换为一个符号 ( ) 的电流。将得到的输出电流进一步滤波后，即可变为直流。
在这个电路的输出上，可以获得一个只有正半周期的正弦波，这就是它实际上被称为半波整流器的原因。正弦波不会有“负部分”，因为整流二极管只有在正向偏置（正电压）时才导通。电流仅在一个方向以脉动方式流过电阻负载。
简单的半波桥式整流二极管电路示例如下所示：
半波整流电路图
半波桥式整流器的特性：
