氮化镓功率芯片采用英诺赛科INN650DA04，耐压650V，导阻480mΩ（max），具备高频高效、极低损耗、快速主动散热等特点，同时采用DFN5*6封装，实现小体积、高效率的充电器设计。
英诺赛科INN650DA04资料信息。
INN650DA04是InnoGaN系列第二代新品，此前已被REMAX 30W氮化镓快充采用。第一代氮化镓功率芯片INN650D02此前已被品胜65W 2C1A氮化镓快充、红魔手机6 Pro标配120W PD氮化镓快充、尚巡120W氮化镓适配器、REMAX 100W氮化镓充电器、摩米士100W 2A2C氮化镓快充、努比亚65W USB PD氘锋氮化镓快充、飞频65W PD氮化镓充电器、魅族65W氮化镓充电器、Lapo 65W PD氮化镓快充充电器、ROCK 65W 2C1A氮化镓快充等多款产品采用，芯片质量获得市场认可。
OR-1009光耦特写，用于初级次级通信，反馈输出电压。
贴片Y电容来自四川特锐祥科技股份有限公司，具有体积小、重量轻等特色，非常适合应用于氮化镓快充这类高密度电源产品中。
特锐祥专注于被动元器件的研发、生产及销售，注册资本1亿元。旗下有自主电容品牌两类：SMD TRX及DIP TY电容器，TRX将致力于陶瓷材料的研究，以拓展更多品类的应用，为客户提供更多的解决方案。
充电头网了解到，特锐祥贴片Y电容除了被麦多多100W氮化镓、OPPO 65W超级闪充氮化镓充电器、联想90W氮化镓快充、努比亚65W氮化镓充电器、倍思120W氮化镓 碳化硅PD快充充电器等数十款大功率充电器使用外，还应用于海陆通、第一卫、贝尔金等品牌20W迷你快充上，性能获得客户一致认可。
