网上有一个观点，那就是从28nm之后，摩尔定律其实已经死了。
从28nm工艺制程开始，芯片的纳米工艺，已经不与晶体管密度，栅极长度、金属半间距等直接相关了。
从28nm之后，芯片工艺，就已经是等效法，即等效于多少纳米，而不是实际多少纳米。
具体来说，在28nm之前，芯片工艺其实是指晶体管的栅极长度，专业词叫Gate Length。，这个工艺每一代缩小30%，也就是变成原来的70%。
所以也就有了90nm、65nm、45nm这些，但到了28nm之后，栅极长度，无法再每一代缩小30%了，于是芯片厂商们，也就不再用栅极长度来命名了工艺了。
各大晶圆厂，便开始在性能（Performance），功耗（Power），以及面积尺寸（Area）方面，进行不断优化改进。
就算栅极长度，并没有真正缩小30%，但只要较上一代在某一方面进步了30%，就认为这是新一代的工艺。
所以一直以来，很多人都说台积电、三星的芯片工艺，在28nm之后，就是一场制程骗局，晶圆厂负责编，芯片厂捏着鼻子也要认。
但事实上，事情真没这么简单，线宽工艺的停滞，或者陷入物理极限，并不代表摩尔定律的衰亡，也并不代表制程就是骗局。
最近这10多年间，虽然在所谓的线宽或栅极上没有长足的进步，但大家都在采用先进的架构设计，来立体化堆叠晶体管，并最终转化为“等效制程”的工艺。
这些一样需要先进的技术，需要各大晶圆厂，不断的提升工艺，改进技术，其难度，并不比缩小线宽或栅极长度低。
举例说明，7nm比10nm更先进，哪怕它们是一种工艺制程的，而5nm也比7nm先进，3nm又比5nm芯片，这是很明显的事情，我们不能单纯的看栅格有没有缩小。
借助架构和工艺的提升，来实现更小制程的效果，依然是一件非常难，且复杂的事情，没有积累，先进设备、高超的技术，依然不可能实现。
同样的，很多人觉得制程工艺没进步，我们就能够很快的追上台积电、三星了，这也是片面的看法，实际上没有想象的容易，对手们不会停下来等待中国芯片制造的追赶，我们也别幻想别人无法进步了，“丢掉幻想，准备战斗”，才是我们真正要*事情。
