正阻逆变是一种电力电子器件，也称为IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），可以实现高压、大电流的开关功能。正阻逆变器主要由N型MOSFET管、PN结二极管和P型Bipolar结构组成，同时具备了MOSFET和Bipolar结构的优点。
在正向电流下，IGBT工作时与Bipolar晶体管类似，具有较低的导通压降；而在反向电压下，IGBT类似于MOSFET，具有高输入电阻和反向阻断能力。
该器件在高电压、大电流、高效率、可靠性等方面具有较优异的特性，应用广泛于变频调速、电机驱动、UPS电源等领域。
