二极管既然是一个PN结，当然具有单向导电性。
Uon称为死区电压，通常硅管的死区电压约为0.5V，锗管约为0.1V。
当外加正向电压低于死区电压时，外电场还不足以克服内电场对扩散运动的阻挡，正向电流几乎为零。
当外加正向电压超过死区电压后，内电场被大大削弱，正向电流增长很快，二极管处于正向导通状态。
导通时二极管的正向压降变化不大，硅管约为0.6～0.8V，锗管约为0.2～0.3V。
温度上升，死区电压和正向压降均相应降低。
UBR称为反向击穿电压，当外加反向电压低于UBR时，二极管处于反向截止区，反向电流几乎为零，但温度上升，反向电流会有增长。
当外加反向电压超过UBR后，反向电流突然增大，二极管失去单向导电性，这种现象称为击穿。
普通二极管被击穿后，由于反向电流很大，一般会造成“热击穿”，不能恢复原来性能，也就是失效了。
二极管的应用范围很广，主要都是利用它的单向导电性，可用于整流、检波、限幅、元件保护以及在数字电路中用作开关元件等。
