图3 导通电阻与电流的关系
四、开关损耗
开关损耗指的是总体的能量损耗，由导通过程损耗、关闭过程损耗、导通损耗组成，使用下面公式计算：
五、开关损耗分析插件
高端示波器通常亦集成了开关损耗分析插件，由于导通状态电压测量不准确，所以导通状态的计算公式是可以修改的，主要有三种：
● UI，U和I均为测量值
● I2R，I为测量值，R为导通电阻，由用户输入Rds(on)
● UceI，I为测量值，Uce为用户输入的电压值，用于弥补电压电压测不准的问题。
一般建议使用I2R的公式，下图是ZDS4000 Plus的开关损耗测试图。
图4 开关损耗测试结果图
六、总结
开关损耗测试对于器件评估非常关键，通过专业的电源分析插件，可以快速有效的对器件的功率损耗进行评估，相对于手动分析来说，更加简单方便。对于MOSFET来说，I2R的导通损耗计算公式是最好的选择。
