笔记本bios内存频率设置,笔记本如何在bios中设置内存频率

首页 > 数码 > 作者:YD1662023-06-08 10:19:06

本文所涉及的内容仅仅是针对内存超频过程中的参数解释,方便诸位在进行内存超频时, 能对内存参数数值调整有更加清晰的判断。

① Memory Profiles(内存参数设置):

笔记本bios内存频率设置,笔记本如何在bios中设置内存频率(1)

设置内存时序。设定值有:

Default Profile(自动)、Custom Profile(自定 义)、XMP Profile1。XMP 全名为 Extreme Memory Profile,它是英特尔提出的一种内存超频模 式,就是把内存的超频频率和参数设置以文件的方式存在内存条的 SPD 模块中。BIOS 启 动 XMP 就是直接从 SPD 中读取超频设置参数设置内存频率。选择“Manual” ,可对内 存频率进行超频设置。

② CAS Latency Time(tCL):

此项控制了 C A S 延迟,它决定了在 SDRAM 在接收指令后开始读取的延 迟时间(在时间 周期中)。

③ RAS/ CAS Delay(tRCD):

笔记本bios内存频率设置,笔记本如何在bios中设置内存频率(2)

此项目用于选择从 RAS (Row Address Strobe) 到 CAS (Column Address Strobe)在相 同的 bank 读写数据时所延迟的时间。设定的周期越短,DRAM 运行越快。 ④ ROW Precharge Time(tRP): 这个项目用来控制当 SDRAM 送出 Precharge 命令后,多少时间内不得再 送出命令。建 议您使用缺省值以保持系统的稳定。设置值有:[2Clocks] [3 Clocks] [4 Clocks] [5 Clocks] [6 Clocks]。

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⑤ Min Active RAS(tRAS)(SDRAM 内存预充电延迟) :

此项控制SDRAM内存时钟周期数的RAS最小值。

⑥ Read to Precharge(tRTP):

选择预充电时间。

⑦ Row Cycle(tRC):

TRC 表示“SDRAM 行周期时间”,它是包括行单元预充电到激活在内的整 个过程所需要 的最小的时钟周期数。 其计算公式是:row cycle time (tRC) = minimum row activetime(tRAS) row precharge time(tRP)。因此,设置该参数之前,你应该明白你的 tRAS 值和 tRP 值是多少。如果 tRC 的时间过长,会因在完成整个时钟周期后激活新 的地址而 等待无谓的延时,而降低性能。然后一旦该值设置过小,在被激 活的行单元被充分充电之 前,新的周期就可以被初始化。

⑧ Write Recover Time(TWR):

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选择 DRAM 登录最后一笔写入数据后的写入回复时间,即最后一笔写 入数据之后的预充电时间。

⑨ RAS/RAS Delay(TRRD) :

TRRD 表示"行单元到行单元的延时"。该值也表示向相同的 bank 中的同一 个行单元两次 发送激活指令(即:REF 指令)之间的时间间隔。tRRD 值越 小越好。延迟越低,表示下 一个 bank 能更快地被激活,进行读写操作。然而,由于需要一定量的数据,太短的延迟 会引起连续数据膨胀。于桌面计算机来说,推荐 TRRD 值设定为 2 个时钟周期,这是最佳 的设置,此时的数据膨胀可以忽视。

⑩ Write to Read Delay(tWTR):

TWTR 表示“读到写延时”。它设定向 DDR 内存模块中的同一个单元中, 在最后一次有 效的写操作和下一次读操作之间必须等待的时钟周期。

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