最近发现了一款电流型驱动MOSFET的驱动芯片，可用在反激式开关电源的电路设计中，与大家分享。话不多说，先来看一下芯片的引脚功能。
引脚分布
内部结构
引脚说明
1.补偿：内部误差放大器输出
2.电压反馈：内部误差放大器的输入端，使用时通过电阻分压连接到电压输出端
3.电流取样：通过电流取样大小可控制开关管的开通和关闭
4.RT/CT振荡：通过电阻和电容不同取值可改变振荡器频率和最大输出占空比
5.GND
6.OUT输出端：驱动功率MOSFET，输出可高达1A图腾状输出
7.电源VCC
8.Vref：一方面通过RT向CT充电，另一方面，可连接外接反馈光耦
应用电路：
简单应用电路
电流取样端通过光耦输出隔离，光耦输入端接在了变压器输出端，当输出增大时，通过光耦原边的电流增大，发射到次级的电子增大，此时光耦次级导通，通过内部Vref电压经过R10限流之后连接到芯片的电流取样端，与内部基准比较放大后流入脉宽调制锁存器，从而控制输出占空比，达到精确控制输出电压的要求，提高了工作效率并提高抗干扰能力，开关管发射集连接一个小电阻进行限流，当电流突增时，限流电阻取样电压后反馈到芯片的电流控制端，从而控制芯片输出，使得开关管道通，从而，控制输出电压。
电压反馈通过分压电阻分压接到内部放大器输入端
振荡器算法公式：
振荡频率
输出频率即为振荡器频率的一半
为保护功率MOSFET，在栅极需要外加分压电阻或者加稳压管稳压
为抑制变压器电压尖峰，在原边增加了RCD保护电路
为防止供电电源突变增高，在电压输入端可适当接一个保险丝保护供电主回路
个人学习小结，还有需要不懂及理解欠缺的地方，希望大家指正交流。
头脑有点热的电子君----2019.4.7
