在MOS管中，栅极电压控制耗尽区的形成。MOS管的耗尽区，电流主要由漏极到源极的电流决定。
当栅极电压低于或等于阈值电压时，漏极和源极之间的耗尽区存在，导致电流受限。
但当栅极电压超过阈值电压时，MOS管进入了放大区或饱和区，这意味着栅极电压足够大以至于完全反转了耗尽区。
在饱和区或放大区，MOS管的漏极到源极的电流几乎不再受耗尽区的影响。相反，漏极到源极电流主要由栅极电压和管子内的电场决定。
当栅极电压超过阈值电压时，耗尽区变窄并形成弯曲，并且在栅极下方会形成一个反型层，从而允许更多的电子通过（从漏极到源极）。
反型层作为漏极到源极的导通沟道。栅极电压越大，反型层越厚，栅极增加的电压落在反型层，耗尽层不会继续变大。
因此，当MOS管的栅极电压超过阈值电压时，耗尽区不再起主导作用，而是变得很小。这导致了更高的导通电流，所以耗尽区不会继续变大。
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