在给电脑购买内存的时候，大多数人会注重看内存的容量和频率参数，一般来说容量越大越好，频率越高越好。当然，这两个参数很重要，但还有另一个重要参数往往被大家忽略，它便是内存时序。那么，什么是内存时序，它对内存性能又会有哪些影响？本期科普就带大家一起来认识认识这一内存参数。
时序会对内存芯片上各种常见操作之间的延迟产生影响，如果延迟超过一定限度，就会影响到内存的性能。一句话来概括，内存的时序是对内存在执行其各种操作时可能经历的固有延迟的描述。
内存的时序是以时钟周期来衡量的，大家可能在内存条的产品页面上看到一串由破折号分隔的数字，比如16-18-18-38，这些数字便被称为内存时序。本质上来讲，由于它们代表了延迟，所以时序自然越低越好。这四个数字代表了所谓的 「主要时序」，对延迟的影响最为显著。
内存时序4个数字对应的参数分别为CL、tRCD、tRP、tRAS，单位都是时间周期。其中CL（CAS Latency）表示「列地址访问的延迟时间，是时序中最重要的参数」；tRCD（RAS to CAS Delay）表示「内存行地址传输到列地址的延迟时间」；tRP（RAS Precharge Time）表示「内存行地址选通脉冲预充电时间」；tRAS（RAS Active Time）表示「行地址激活的时间」。
简单来讲就是CPU在向内存索要数据，或者在向内存写入数据的时候，内存要经历一系列的操作，才能把CPU想要的数据写出来或者写进去。这一系列的操作所需要花费的时间周期就是内存时序。内存时序的第三个参数tRP，就是已经确定了一行，还要再确定另外一行所需要等待的时间。
所以，在保障稳定性的前提下，内存时序越低越好。但我们知道现在有不少内存条都能够超频，而高频率和低时序相互矛盾，一般频率上去了，时序就得有所牺牲，要想时序足够低，频率又很难拔高。比如今年各大存储厂商发布的DDR5内存，频率确实升上去了，但时序也相对DDR4内存来说要高上不少。
