TeCdHg是中远红外探测中最重要的半导体材料之一，可在室温下工作。可以看出300 K下,InAs/Ga-In,Sb超晶格薄膜迁移率保持在一个较高的水平，有望实现在非制冷情况下工作。
温度在一定范围内升高增加了电子的能量，使得电子逃离正电中心束缚的概率增加，也会使迁移率升高。实验得出了超晶格薄膜的优化生长条件：以GaAs上生长的GaSb层为材料生长的基板，生长温度在385～395℃,V/Ⅲ束流比为5.7:1～8.7:1,层厚比建议为1～2.5。
分析了MBE生长过程和原位监测，在生长过程中束源温度（阀门开放率）与束流强度始终保持线性关系RHEED原位观测到各膜层清晰的再构衍射条纹。计算了位错密度、垂直应变、晶格常数、x值和半峰宽等重要数据，得到超晶格膜和异质结膜的不同成膜厚度。
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