MOS管表面温度在25℃或更高温度下，可允许的最大连续直流电流。从测试条件可以看出，在同样条件下MOS管的温度越高，ID越小。原因是内阻随着温度的增高而增大，根据I=U/R可知，内阻跟电流成反比，内阻越大，通过的电流越小，带载能力越弱。
4. IDM峰值漏电流
该参数反应了MOS管能通过的最大脉冲电流，它远大于连续通过的电流。如果长时间工作在此电流下，管子将会失效。因此，在实际工作中，需将电流设置在ID范围内。
5. RDS(on)导通内阻
内阻是个比较重要的参数，内阻越小，带载能力越强。温度对内阻的影响比较大，如图：
随着温度的升高，内阻增大，内阻越大，管子本身消耗的能量越大，管子发热就越严重，情况会越来越糟，所以一定要控制MOS管的温度，一般不超过105℃。
6.Vgs（TO）阈值电压
注意Vgs（to）具有负温度系数特性，温度越高，开启电压越低，高温时接近1.5V管子就会开启。有些管子高温时约为零点几伏，这样只要在栅极有一个很小的尖峰就可能导致管子误开通，从而引起系统的不稳定。
7.Qg，Qgs，Qgd栅电荷
Qg栅电容的充电电荷。这个值跟驱动电路有很大关系。驱动电流的大小通常会参考Qg的值，然后估算出驱动电流值。
8.td（on）导通延时时间、tr上升时间、td（off）关断延时时间、tf下降时间、td（off）关断延时时间，示意图如下：
