MOS管是场效应管的一种中文名称是“绝缘栅型场效应管”，IGBT的中文名称是“绝缘栅双极型晶体管”二者的相同点有：
1这两种晶体管都是电压控制型电子元件，驱动电压都是 15V，因为两者都有一层绝缘栅所以控制极与低电位极都没有电流流过。
2二者因为绝缘栅的存在，不可避免的形成了势垒电容，正是势垒电容的存在为了消除势垒电容带来的误导通驱动电路必须考虑米勒钳位。
3二者都是全控型的半导体器件，都有阈值电压工作时都有三种状态即截止区、饱和区、放大区。
4二者最广泛的用途是用作开关管，所以这两种半导体器件必须工作在饱和区，如果在工作时发生退饱和现象就会损坏器件。
二者的不同点
1开关频率不同 MOS管相比IGBT的开关频率更高，一般的IGBT工作时的开关频率大约是25KHz，即使高频IGBT才能达到40～50KHz，而MOS管的开关频率可在100KHz。
2承载电流能力不同 MOS管一般承受电流大概6～9A最大不会超过20A而IGBT的工作电流可达几十甚至上百安。
3二者的内部结构不同MOS管有4个电极即G（栅极）D（漏极）S（源极）B（衬底）一般源极与衬底相连，也可以不连但必须保证BS之间的PN结反偏，IGBT有三个电极C（集电极）G（门极）E（发射极）
4 IGBT的驱动电压永远都是Vge是正压（必须大于阈值电压）N沟道的MOS管驱动电压Vgs是正，P沟道的MOS管驱动电压Vgs是负。
5就驱动电路而言IGBT的驱动电路更为复杂，保护类别也更多（门极驱动欠压、过流、过压、温度、米勒钳位、退饱和检测等等）一般IGBT都以模块的形式出现，驱动也采用高速光耦（例如ACPL-337J、TLP759等等）
6 IGBT是MOS 达林顿管（两个三极管组成）结合而成，这也是频率没有MOS管高而电流比它大的原因所在。
7相比MOS管IGBT的应用更为广泛变频器、家用商用电器、动车、新能源汽车等等。
由于水平有限不足之处请多多指教
