JSC、VOC和FF的累积影响决定了电池的转换效率，随着CsPbI3 QD层厚度从50纳米增加到400纳米，CUC的PCE从7.45%增加到16.17%，优化的CsPbI3 QD层厚度，即400纳米，CUC的光伏参数为PCE-16.17%，VOC-1.02V，JSC-18.06 mA cm−2和FF-87.06%。
另一个可以显著影响CUC性能的重要因素是CsPbI3QD层的总缺陷密度，由于缺陷密度的增加，电荷载流子扩散长度减小，导致电荷载流子的更高复合，这会导致太阳能电池性能的恶化。
CUC的J-V和EQE曲线，展示了体缺陷密度（从1 × 10^14至1 × 10^17 cm^(-3)）对器件的影响，从中可以得出个结论，随着CsPbI3QD层的缺陷密度增加，器件的JSC和VOC降低。
我们根据在模拟器中的CsPbI3QD层缺陷密度变化规律可以得到的PV参数，PCE从16.17%降低到16.12%、15.79%、14.57%、12.08%和8.57%，缺陷密度的增加也会影响CUC，从87.60%降至87.36%、85.83%、80.54%、73.61%、65.54%， CUC的JSC也受到缺陷密度增加的影响，从18.06 mA cm^(-2)降至13.38 mA cm^(-2)，
我们为了实现CUC的更好稳定性和性能，关键是要尽可能地减少活性层的总缺陷密度，根据模拟结果，CsPbI3QD层的最佳缺陷密度为1 × 10^14 cm^(-3)，在此条件下记录了PCE为16.17%、VOC为1.02 V、JSC为18.06 mA cm^(-2)和FF为87.60%，优化后的BDD与先前的研究结果相符。
我们通过在模拟器中观察到，同时变化的CsPbI3QD厚度、NA和BDD，展示了这些参数对CsPbI3QD太阳能电池的光伏转换效率的联合影响，在CsPbI3QD的厚度相对于NA和BDD的影响中，厚度对CUC的转换效率影响更大，最佳的CUC性能在400 nm的厚度的CsPbI3QD层下实现，而NA和BDD的变化对CUC的PCE影响较小。
