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案例分析
客户送测红光LED死灯样品，要求分析失效原因。初步进行电性测试后，确定为芯片漏电所致，因此，对芯片进行漏电点定位和分析。
（1）首先取NG1、NG2样品进行EMMI测试，结果如下：
对NG1进行EMMI漏电点定位，漏电位置在芯片焊球的一侧，位置靠近引线一侧，如下图所示。
（2） 由于对NG2样品进行EMMI和OBIRCH测试，均未能定位漏电点，因此对NG2进行显微光热分布定位测试，测试结果如下：
对NG2进行光热漏电点定位，漏电位置在芯片焊球的一侧，位置靠近引线一侧，如下图所示。
对NG2和OK1样品进行光热分布对比测试，进一步地印证漏电点位置在芯片焊球的一侧，位置靠近引线一侧，如下图所示。
光分布测试对比图
