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今天给大家讲一下可控硅（SCR）触发方法。
可控硅实物图
在设计可控硅（SCR）触发电路时，可控硅（SCR）整个区域的运行很大程度上取决于其触发方式。
在进行电路设计时，需要特别注意确保没有误触发，同时确保晶闸管在需要时触发。
在可控硅（SCR）触发中，包括栅极驱动要求（如果使用栅极触发）、触发时间（需要保持所施加的触发激励时间以使电路锁存）等各个方面都很重要，各种参数的重要性取决于所使用的可控硅（ SCR ）触发形式。
可控硅（SCR）触发方法总结可控硅的触发主要取决于温度、供电电压、栅极电流等不同的变量。当向可控硅施加电压时，如果阳极端可以与阴极相关 ve，则可控硅变成转发偏向。因此该晶闸管进入正向阻断状态。
可控硅电路
以下就是常见的可控硅触发方法，接下来会对每个可控硅触发原理进行详细讲解。
- 门触发
- dv/dt 触发
- 温度触发（热触发）
- 光触发
- 正向电压触发
- 直流栅极触发
- 交流栅极触发
- 脉冲触发
- 阻力触发
- RC 触发
这种形式的可控硅（SCR）触发是在使用的不同电路中最常见的一种。
对于大多数应用来说，它简单、可靠、高效且易于实施，可以应用简单的触发信号，并在需要时进行适当的处理。这意味着可以使用其他电子电路来获得合适的触发信号，然后将其应用于可控硅（SCR）。
对于要使用的栅极可控硅（SCR）触发，可控硅（SCR）必须在其击穿电压以下运行，并且还允许适当的安全裕度以适应可能发生的任何瞬变，否则可能会发生正向电压或击穿触发。
开启可控硅（SCR），栅极和阴极之间的正栅极电压，会产生栅极电流，其中电荷被注入器件的内部 p 层，这有效地降低了发生正向击穿的电压。
可以看出，栅极电流决定了可控硅切换到其导通状态的正向电压。栅极电流越高，正向击穿电压越低。有许多应用触发信号的简单方法，最简单的安排之一如下图所示。
显示附加栅极电阻的晶闸管电路
可以看出有两个电阻。第一个是 R1，它用于将栅极电流限制在可接受的水平。选择该电阻以提供足够的电流来触发可控硅（SCR），同时将其保持在设备的安全范围内，它可以使用设备额定值和欧姆定律轻松计算。
第二个电阻 R2 是栅极阴极电阻，有时也表示为 RGK，包含它是为了防止虚假触发。
电阻的作用可以从可控硅（SCR） 的两个晶体管类比中看出，它表明栅极和阴极之间的低外部电阻绕过了栅极结周围的一些电流，因此，需要更高的阳极电流来启动和保持导通。
特别发现，低电流高灵敏度可控硅（SCR）在非常低的电流水平下触发，因此需要外部栅极 - 阴极电阻来防止栅极区域中热产生的泄漏电流触发。然而，栅极阴极电阻绕过了由阳极电压 (dv/dt) 的快速变化率引起的一些内部阳极电流。
它还通过降低 NPN 晶体管区域的效率来提高正向击穿电压，因此需要更高的雪崩倍增效应来启动触发，绕过栅极结的电流也会影响锁存电流和保持电流。由此可见，使用栅极阴极旁路电阻的效果包括：
- 增加 dv/dt 能力。
- 保留栅极阻尼以确保最大重复峰值断态电压 VDRM 能力。
- 提高锁存和保持电流水平
- 降低关断时间，tq。
尽管上面所示的简单电路足以满足许多需要更可控的触发机制的应用，但需要考虑触发前、触发期间和触发后的门特性。这是必需的，因为可控硅（SCR）内的电流变化会导致栅极特性发生变化。
直流门触发- 在栅极和阴极之间施加适当极性的直流电压（栅极端子相对于阴极为正极）。
- 当施加的电压足以产生所需的栅极电流时，晶闸管开始导通。
- 这种方案的一个缺点是电源和控制电路都是直流的，两者之间没有隔离。
- 另一个缺点是必须施加连续的直流信号，所以栅极功率损耗很高。
如果阳极到阴极电压的上升速率超过特定设备的特定限制，也可以在没有任何栅极电流的情况下发生 可控硅（SCR）触发。
如果阳极到阴极电压的上升速率很高，则通过电容结的充电电流足够高，可以打开晶闸管。高值的充电电流可能会损坏晶闸管，因此必须保护设备免受高 dv/dt 的影响。
在正向阻断状态，即阳极比阴极更正，结J 1和J 3正向偏置，而结J 2反向偏置。因此，由于耗尽区中的空间电荷，结 J 2表现为电容（J 1和 J 3为具有电介质 J 2的导电板）。
