电阻触发
根据 R 的值，当栅极电流的大小达到足够的值（器件的锁存电流）时，可控硅（SCR）开始导通。
二极管D称为阻塞二极管，它可以防止栅极阴极结在负半周期中受到损坏。
RC 触发以下电路显示了电阻-电容触发。
通过使用这种方法，我们可以实现大于 90° 的发射角。在正半周，电容通过可变电阻 R 充电至施加电压的峰值。
变电阻R控制电容的充电时间，取决于电容两端的电压，当足够量的栅极电流将在电路中流动时，可控硅（SCR）开始导通。
电阻-电容触发
在负半周，电容C通过二极管D2充电至负峰值，二极管D1用于防止栅极阴极结在负半周反向击穿。
设计可控硅触发电路当可控硅正向偏置时，通过在栅极和阴极端子之间施加正栅极电压来注入栅极信号，然后晶闸管导通。
下图显示了施加栅极信号后的阳极电流波形。
施加栅极信号后的阳极电流波形
ton是导通延迟时间，导通延迟时间是栅极信号施加与晶闸管导通之间的时间间隔。
导通延迟时间 ton 定义为 10% 的稳态栅极电流 0.1I g和 90% 的稳态晶闸管导通电流 0.9It。
t on是延迟时间 td 和上升时间 t r之和。
延迟时间td定义为稳态栅极电流 (0.1 I g ) 的 10% 和晶闸管导通电流 (0.1 I T ) 的 10% 之间的时间间隔。
上升时间t r定义为晶闸管阳极电流从晶闸管通态电流的10% (0.1I T ) 到晶闸管通态电流的90% (0.9I T ) 所用的时间。
在设计栅极晶闸管触发电路时，应牢记以下几点：
1、当晶闸管导通时，栅极信号应立即移除。即使在触发和晶闸管之后连续施加栅极信号也会增加栅极结的功率损耗。
2、晶闸管反向偏置时不应施加门极信号。
3、栅极信号的脉冲宽度应大于阳极电流上升到保持电流值I H所需的时间。
4、施加的负栅极信号不能关断晶闸管。
5、为了停止晶闸管的传导，我们必须使流过晶闸管的阳极电流低于保持电流水平。保持电流可以定义为在没有栅极信号的情况下将晶闸管维持在导通状态所需的最小阳极电流，低于该栅极信号晶闸管停止导通。
以上就是关于可控硅触发方法原理的一些分析，希望大家多多支持我。
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