其中，O/C表示模拟开关控制引脚（Open/Close）
用P沟通JFET也可以组成模拟开关，但目前最常用的还是用MOSFET构成的开关，因为MOS技术是大规模数字集成电路的基础，这样可以在同一工艺下将模拟与数字功能实现在同一块芯片上，如下所示：
但是，无论是JFET或MOS构成的模拟开关，它们导通时漏-源通态电阻RDS(ON)都与栅-源电压VGS有关，而在输入信号Ui的变化过程中，VGS也是一直随之变化的，如下图所示：
在信号的传输过程中，真正施加在MOS管栅-源两极的电压VGS=-（15V-UO），而UO是与Ui相关的，如果输入信号Ui足够大的话，甚至会在信号传输过程中将MOS管关断，这显然不是我们想要的结果，因为我们的目标是得到一个恒定的（或比较恒定的）导通电阻RON。我们当然也希望导通电阻越小越好，但是在很多应用中，模拟开关的恒定通态电阻（导电率）是最重要的，也就是通态阻抗平坦度RDS(flat)，因为它关乎输出电压的精度。
比如，用高精度ADC（模数转换器）进行多路电压信号采集时，模拟开关的导通电阻RON不必强制要求有多小，但只要它们的导通电阻RON是恒定的，可以在算法上将其带来的误差清除。
用一对互补MOSFET（即CMOS）即可消除这些缺点，它的结构如下图所示：
当O/C控制引脚为高电平时，Q1（PMOS）因栅-源电压VGS<VGS(ON)而导通（PMOS的导通阈值为负电压），同样，Q2（NMOS）因栅-源电压VGS>VGS(ON)而导通（NMOS的导通阈值为正电压），如下图所示：
