此时模拟开关的导通电阻为两个MOS管导通电阻RDS(ON)的并联，它们的特性曲线如下图所示：
NMOS管在信号比较低时的导通电阻较小，而PMOS管则在输入信号较高时的导通电阻较小，两个电阻并联后，则在整个信号的有效范围内都比较低。
当O/C控制引脚为低电平时，两个MOS管均为阻断状态，如下图所示：
有些数据手册也会给出这个导通电阻的信息，如下图所示：（来自intersil的CD4051数据手册）
这种基本的结构也叫做传输栅，有些规格书中以下面的符号表示：
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