MOS管，是MOSFET的缩写，简称场效应管；
特点：具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成；
分为NMOS,PMOS两种，其原理图符号及电流流向如下图：
常用电路有如下几种：
1， 开关控制，如下图
控制逻辑：
对于NMOS，VGS大于阈值电压时，MOS管导通，此时VGS为正；
对于PMOS，-VGS大于阈值电压时，MOS管导通，此时VGS为负；
2，电平转换，如下图
电平转换原理：
A高电平时，mos管关断，B拉高到3.3V；
A低电平时，mos管打开，B为电平；
B高电平时，若此时MOS管关断，侧A为1.8V，状态不变，
若此时MOS管打开状态，A拉高至1.8V后，mos管关断，A保持1.8V；
B低电平时，若此时MOS管关断，侧A为1.8V，通过二极管拉低至低电平，
若此时MOS管打开状态，A被拉至电平；
备注：初始上电B会有一个高电平的跳变，电路设计时对该跳变敏感的电路，不能使用该方案。
