场效应管三只脚接线图实物图,场效应管接线图举例说明

IRF3205 引脚图说明

1、IRF3205电路符号

IRF3205电路符号

2、IRF3205封装尺寸

IRF3205封装尺寸

3、IRF3205 3D模型

IRF3205 3D模型

• N 沟道功率 MOSFET 器件
• 漏源击穿电压 ( V BR ( DSS ) ) 为55V
• 栅极到源极电压 ( V gs ) 为 /- 20V
• 栅极的阈值电压（V g (th)）为2至 4V
• 漏极电流 ( Id )为110A
• 脉冲漏极电流 ( I DM ) 为390A
• 功耗为 ( P D ) 为200W
• 漏源导通电阻 ( R DS (ON) ) 8mΩ
• 门体漏电流 ( I GSS ) 为100nA
• 总栅极电荷 ( Q g ) 为146nC
• 反向恢复时间 ( trr ) 为69 至 104ns
• 峰值二极管恢复 ( dv/dt ) 为5V/ns
• 上升时间 ( tr ) 为101ns
• 结壳热阻(R th jc)为75℃/W
• 结温（T J）在-55至175℃之间

1、电压规格

IRF3205 MOSFET的电压规格是栅源电压为 /-20V，漏源击穿电压为55v，栅极阈值电压在2到4V之间。

从IRF3205 MOSFET的电压规格可以看到IRF3205是一种常见的功率器件。

2、电流规格

IRF3205 MOSFET 的电流值为漏极电流为 110A，脉冲漏极电流值为 390A，这些电流规格表明 IRF3205 MOSFET 是一种大电流功率器件。

漏源漏电流为25uA，栅源正向漏电流为100nA，该功率器件的漏电流值较小。

3、功耗规格

IRF3205 MOSFET 的功耗为 200W，TO-220 功率 MOSFET 封装使其成为功耗更高的器件。

4、漏源到导通电阻

漏源导通电阻为8mΩ，是MOSFET显示的电阻值。

5、结温

IRF3205 MOSFET 的结温为175℃。

6、反向恢复时间 (trr)

IRF3205 MOSFET 的反向恢复时间为 69 至 104ns，这是开始导通之前放电所需的时间量。

7、总栅极电荷 (Q g )

IRF3205 MOSFET 的总栅极电荷为 146nC，需要向栅极注入以开启 MOSFET 所需的总栅极电荷。

IRFB3206、IRFB3256、IRFB3307、IRF1405、IRFB3306 和 IRFB3006 等 MOSFET 器件是 IRF3205 的等效器件。

大多数这些 MOSFET 具有几乎相同的电气规格，因此我们可以将它们等效使用。

在下表中，我们列出了每个 MOSFET 的电气规格然后进行对比，例如 IRF3205 与 IRFB1405 与 IRFB4310，比较将帮助我们选择最适合我们的等效产品。