近日，有媒体表示，台积电、三星两家先进的代工厂，放任客户称他们的芯片使用了4nm工艺，但其实还是5nm，这其实是工艺造假。
媒体报道称，原本高通的骁龙8Gen1是5nm工艺的，但为了市场及营销的需要，高通和三星决定将8Gen1作为4纳米芯片推出。
同样的，联发科天玑9000也是5nm工艺的，但看到三星与高通推出了4nm，于是台积电与联发科，也宣称自己天玑9000，也是4nm了。
而根据专业人士的分析，不管是骁龙8Gen1，还是天玑9000系列，所谓的4nm工艺，在物理结构上，与这两家公司的5nm工艺并没有什么不同之处，纯粹就是将5nm，说成是4nm，玩数字游戏。
事实上，在几年前，就有知名芯片厂商表示，台积电、三星均在在工艺制程上玩营销游戏，他们喜欢将数字说得越小越好，但实际并不是真正的XXnm工艺。
以前，所谓的工艺制程，与晶体管密度是保持着严格的相关性的。工艺提升，晶体管密度就会提升，相同的工艺下，即使是不同的厂商，其晶体管密度基本也不会相差太多的。
但到了10nm后，台积电、三星的工艺节点，与晶体管密度就开始脱钩了，不再具备严格的相关性了。
如上图所示，这是某机构根据台积电、三星、intel的技术资料，列出来的制程工艺与晶体管密度的对比图。
我们发现三大厂商，在不同的工艺下，其晶体管密度是截然不同的，水份最高的是三星，图中可以看出，intel的7nm，从晶体管密度来看，与台积电的5nm、三星的3nm是相同的。
另外三星在10nm、7nm，其晶体管密度与台积电是一致的，但后来就变了，密度越来越低，比台积电低一代，比intel低2代了。
对此不知道大家怎么看？现在工艺提升越来越难，每提升一代需要的时间越来越长，这也导致晶圆厂们，开始搞虚假动作了。
搞得intel现在都没办法，在工艺上都不得不与三星、台积电“同流合污”，改变了自己的命名规则，成为了虚假工艺中的一员，比如原本的英特尔10nm工艺被重新命名为了Intel 7，对应台积电的7nm工艺，而原本的7nm，叫做intel 4，对应台积电4nm工艺……
如今，制程工艺节点的命名，完全失去了应有的意义……谁也不知道真正的工艺节点是啥了，晶圆厂说啥就是啥。
