1.4硅片晶向、位错测试
1)晶向测试。晶向测试是利用X射线仪进行晶向测定。其原理为：当一束平行的单色X射线射入晶体表面时，X射线照在相邻平面之间的光程差为其波长的整数倍时就会产生衍射。利用计数器探测衍射线，根据其出现的位置确定单晶的晶向。
2)位错测试。位错测试是利用化学择优腐蚀来显示缺陷，试样经择优腐蚀液腐蚀后，在有缺陷的位置会被腐蚀成浅坑或丘，可采用目视法结合金相显微镜进行观察。
对3片漏电电池片酸抛后进行晶向、位错测试，数据如表2所示。
根据表2数据可知，晶向偏离度基本在1°以下，技术标准对晶向偏离度的要求通常为距离〈100〉晶向±3°，测试结果满足要求，且检测未发现位错。这说明漏电原因不是晶界问题引起的。
1.5酸抛返工
将酸抛后的漏电电池片重新进行生产线工艺加工，制成电池片后对其进行EL测试。对比图5、图6可知，生产线返工再次做成电池片，测试其EL依然有漏电。但与第一次制成的电池片的EL测试结果对比后发现，漏电点明显减少，但漏电并未因改变制作流程而消失，只是有所减轻，说明问题主要存在于硅片表层。
