将炉口处的硅片制成电池后，测试电池的电性能，如表6所示。由表6可知，未出现漏电流Irev1、Irev2大于0.5A、并联电阻偏小的情况。所以不是扩散炉口位置出现的异常。
对电池片进行EL反向测试，表7为电池片的反向漏电测试数据，该数据皆小于0.5A。扩散均匀度最差的炉口位置的硅片制成的电池片未出现雪花状漏电现象，排除是扩散工艺造成的可能性。
2.2.3烧结工艺
用同一片电池片验证生产线烧结炉工艺，取生产线编号为L2-1的电池片，测试其EL，分别在生产线L2-2、L1-1和L1-2进行重复烧结，EL反向漏电[2]如图9所示。
从图9可以看出，烧结对电池片造成的影响与生产线发现的异常漏电电池片的特征不同，由此可以排除烧是结工艺造成的可能性。
2.3量子效应测试
图10为漏电电池与正常电池的外量子效率对比图。由图10可知，在整个波段，漏电电池片的外量子效率都比较低，单从数据无法判断出是哪个工序出现了异常。
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