[2] 单结晶体管可分为N型基极单结管和P型基极单结管两大类。单结晶体管的文字符号为“VT”,图形符号如图所示。
[3] 单结晶体管的主要参数有:① 分压比η,指单结晶体管发射极E至第一基极B1间的电压(不包括PN结管压降)在两基极间电压中所占的比例。② 峰点电压UP,是指单结晶体管刚开始导通时的发射极E与第一基极B1的电压,其所对应的发射极电流叫做峰点电流IP。③ 谷点电压UV,是指单结晶体管由负阻区开始进入饱和区时的发射极E与第一基极B1间的电压,其所对应的发射极电流叫做谷点电流IV。
[4] 单结晶体管共有三个管脚,分别是:发射极E、第一基极B1和第二基极B2。图示为两种典型单结晶体管的管脚电极。
[5] 单结晶体管最重要的特性是具有负阻性,其基本工作原理如图示(以N基极单结管为例)。当发射极电压UE大于峰点电压UP时,PN结处于正向偏置,单结管导通。随着发射极电流IE的增加,大量空穴从发射极注入硅晶体,导致发射极与第一基极间的电阻急剧减小,其间的电位也就减小,呈现出负阻特性。