图2
传感器的特征在于由两个螺线管产生的磁场，使用锁定放大器测量相变，在±4.9mT磁饱和1s后，磁通密度在两个方向上都在−2.5和 2.5mT之间扫描。
图3显示了测量的相位变化，箭头指示方向。观察到明显的滞后现象，尤其是在0mT附近。
图3
0mT附近的高灵敏度似乎不适合传感器操作，因为高灵敏度范围有限，并且由于磁滞曲线的两个分支在零场相交时过程中的模糊性。
进一步的局部灵敏度最大值为60°/mT(-1.1mT)、34/mT(-0.7mT)、55°/mT(-0.35mT)、60°/mT(0.3mT)、32°/mT(0.6mT)和62°/mT(1.15mT)。
为了减少滞后的影响，对于稍后的传感器操作，磁通密度的范围被减小到偏置场周围的±0.325mT以下，这足以在上面列出的所有工作点进行可逆操作。
在延迟线平面中放置在传感器两侧的N45NdFeB永磁体产生偏置场（见图2），对于0.6mT的偏移，2×2×4mm 3两侧使用磁铁（间隔36毫米），对于1.2mT，2×2×6毫米3个磁铁（间隔32毫米）。
从传感器和电流迹线（传感器下方2.5mm）的3-DEM仿真中，提取磁通量密度与迹线中电流之间的比例0.065mT/A，其测量范围为±偏置场周围±0.325mT的选定范围为5A。
传感器的特征在于传感器下方电流迹线中的脉冲电流，将500μs长电流脉冲应用于电流迹线，并从相位检测器获取相位变化。
