串联谐振频率计算
晶振的并联谐振频率，ƒ P：
并联谐振频率计算
可以看到，晶振的基频 ƒs 和ƒp之间的差异很小，约为 18kHz (10.005MHz – 9.987MHz)。然而，在这个频率范围内，晶体的 Q 因子（品质因数）非常高，因为晶体的电感远高于其电容或电阻值。
晶体振荡器 Q 因子：
晶振在串联谐振频率下的 Q 因子为：
晶体振荡器Q因子
晶体示例的 Q 因子约为 25,000，是因为这种高X L / R比率。
大多数晶体的 Q 因子在 20,000 到 200,000 之间，良好的 LC 调谐槽路电路将远小于 1,000。
这种高 Q 因子值还有助于晶体在其工作频率下的更高频率稳定性，使其成为构建晶体振荡器电路的理想选择。
已经看到石英晶体的谐振频率与电调谐 LC 谐振电路的谐振频率相似，但Q因子要高得多，这主要是由于其低串联电阻Rs。因此，石英晶体是振荡器特别是高频振荡器的绝佳组件选择。
典型的晶体振荡器的振荡频率范围可以从大约 40kHz 到远高于 100MHz，具体取决于它们的电路配置和使用的放大设备。晶体的切割也决定了它的行为方式，因为一些晶体会以一种以上的频率振动，从而产生称为泛音的额外振荡。
此外，如果晶体的厚度不平行或不均匀，它可能具有两个或多个谐振频率，都具有产生所谓的谐波的基频和谐波，例如二次或三次谐波。
影响晶振振荡频率的主要因素工作点变化
我们之前已经了解过晶体管，并且知道了工作点的重要性，对于晶振来说，这个工作点的稳定性需要更高的考虑。
使用的有源器件的操作被调整到其特性的线性部分，该点由于温度变化而移动，因此稳定性受到影响。
温度变化
振荡电路中的振荡电路包含各种元件，例如电阻、电容和电感。它们的所有参数都取决于温度，由于温度的变化，它们的值会受到影响，这就会影响到振动电路频率的变化。
电源影响
供电功率的变化会影响频率，电源变化导致V cc变化，从而影响所产生的振荡频率。
为了避免这种情况的发生，实施了稳压电源系统，简称为 RPS。
输出负载变化
输出电阻或输出负载的变化会影响振荡器的频率。当连接负载时，储能电路的有效电阻会发生变化。
LC调谐电路的Q因数发生了变化，这就会导致振荡器的输出频率发生变化。
元件间电容的变化
元件间电容是在二极管和晶体管等 PN 结材料中产生的电容，这些是由于它们在操作过程中存在的电荷而产生的。
由于温度、电压等各种原因，元件间电容会发生变化。不过这个问题可以通过跨过有问题的元件间电容连接 电容来解决。
Q值
振荡器中的 Q（品质因数）值必须很高。调谐振荡器中的 Q 值决定了选择性。由于该 Q 与调谐电路的频率稳定性成正比，因此 Q 值应保持较高。
如果Q值的变化，将会影响到频率稳定性。
以上就是关于晶振的工作原理的一些知识点，下一篇将会讲一下晶振振荡电路，希望大家多多支持。
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