体二极管在由正向导通到截止状态时，它并不是立刻截止的，而是经过一段时间后才截止，这个时间就是反向恢复的时间，而在反向恢复这个时间段，需要充的电荷就是Qrr。同时它也反映了反向恢复带来的损耗问题，Qrr越大，代表损耗越大。
✦MOS管器件选型
关于器件选型，首先要确定对器件的需求，也就是想找什么样的MOS管，然后再根据实际电路、应用，按照关键参数进行筛选，并结合各个厂家的质量表现、器件系列的特点和市场口碑来确定最终的厂家以及型号。
下图是一个典型的常见AC/DC电源拓扑结构：
输入源是220V交流电压，经过桥式整流后的PFC电路进行功率因数的校准，然后再接一个DC/DC电路，DC/DC电路可以是多种多样，有反激拓扑、正激拓扑、移相全桥拓扑以及LLC谐振拓扑。在这里我选择比较常用的半桥LLC谐振拓扑结构，最后输出得到调制的电压。
这里用到的有Q1/Q2和Q3三个功率MOS管，其中Q1用于PFC电路，Q2和Q3用于半桥LLC电路。那么我们该如何选型？在选型中我们该考虑哪些参数？
首先，Q1用于PFC电路，一般母线电压为400V左右，那么我们可以选择600V或者650V的耐压，然后再根据功率的大小选择合适的通流能力的NMOS；另外，根据PFC的开关频率和功率大小也要对栅极电荷Qg和导通电阻Rdson进行折中的选择。相对来说，用于PFC电路的MOS管需要考虑的参数并没有那么多。
Q2和Q3用于半桥LLC拓扑结构，前级输入是PFC的母线电压400V，也是选择同等600V或者650V的耐压，但是LLC拓扑结构与PFC电路工作方式不一样，需要考虑的寄生参数比较多，接下来，将重点介绍在半桥LLC拓扑中选择MOS管该注意些什么。
LLC谐振拓扑最大的优势是可以实现MOS管的ZVS，大大提高电源的效率；左边是一个常见的不对称半桥LLC拓扑结构，右边是它对应的驱动电压波形以及VDS电压和IDS电流的波形。
VGS1和VGS2之间有个死区时间，主要作用是第一个防止Q1/Q2桥臂直通，第二个是实现MOS管的零电压开通。
我们可以到当这个红色驱动波形VGS2为高的时候，Q2的VDS2已经降到0了，这样就实现了Q2的零电压开通，大大降低了MOS管的开通损耗。
在驱动信号来临之际，MOS管的输出电容Coss的能量被完全抽走。那么输出电容Coss的能量被完全抽走，需要满足什么标准呢？
这个是它的等效电路图：
